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美光面向嵌入式應用推出串行NAND閃存

作者:
日期:2008-12-10 14:50:37
摘要:利用這項技術可以從NOR閃存輕松過渡到性價比更高的NAND閃存
關鍵詞:美光
  美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.,紐約證券交易所:MU)今天推出了一項串行NAND閃存技術,使嵌入式應用產品能夠靈活方便地升級存儲容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb,這樣一來,客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現有存儲能力之外,以高性價比擴展存儲容量;此外,美光的這款閃存還具有顯著的每數據位成本(cost-per-bit)優勢。
 
  美光公司NAND市場開發總監Kevin Kilbuck說,“美光的串行NAND技術能提供市場每數據位成本最低的串行接口閃存。現在有許多嵌入式應用產品需要128M甚至更大的存儲空間,我們預計容量需求還會繼續增長,這就需要在NOR閃存之外提供基于NAND技術的存儲解決方案。”

  隨著嵌入式系統的發展,他們需要功能更穩健、密度更高的內存解決方案。WiMAX設備、機頂盒、打印機以及其他工業和汽車應用產品過去只用來進行信息解碼,而這樣的時代已經一去不復返了。現在,這些設備之中有更為尖端的操作系統,用于管理多媒體、圖片和其他數據密集的內容,因此也需要設備提供更大的存儲空間。

  美光了解到這些應用需求,充分利用其可靠的NAND技術,為客戶提供一套密度更高、寫入性能更優、擴展性更好的存儲解決方案,使用戶無需從頭至尾重新設計系統,就能擴展其應用產品的存儲容量。此外,美光的串行NAND技術采用與并行NAND相同的封裝類型,因此可作為一種過渡方法,幫助生產商在需要的時候從串行接口產品轉換到并行NAND接口產品。

美光串行NAND技術優勢

●兼容性:與行業標準串行外設接口(SPI)命令集兼容。

●最大限度增強功能:提供所需的密度,以最大限度提高系統功能,降低物料成本。用戶自建的內容直接存儲到設備上,無需使用單獨的NAND芯片。

●速度更快:美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s,寫入速度比NOR閃存(不到0.5MB/s)更快。

●簡約的設計:去掉了外部卡插槽,因此降低了物料成本;并利用芯片上的糾錯碼(ECC)來解決出廠原始NAND閃存伴生的復雜問題。

●更安全:提供了只讀區和保護性的塊鎖,以避免設備上存儲的內容遭到擅自更改。

產品上市情況

  美光的1Gb串行NAND技術現已推出試用產品,預計于2009年一季度投入量產。美光公司還計劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產品,容量將可達到4Gb。

關于美光公司

  美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導體解決方案的全球領先供應商之一。通過全球化的運營,美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊,用于前沿計算、消費品、網絡和移動便攜產品。美光公司普通股代碼為MU,在紐約證券交易所交易(NYSE)。如需了解美光科技有限公司的詳細情況,請訪問:www.micron.com。

  Micron(美光)、美光環繞標志是美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)的商標。所有其它商標屬其各自所有人財產。
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