加州圣塔克拉拉 2010-08-17(中國商業電訊)－－今天，在閃存峰會 (Flash Memory Summit) 上，致力于簡化 NAND 閃存與消費電子設備、計算平臺及行業系統整合的機構 Open NAND Flash Interface (ONFI) Working Group 推出了其新的 ONFI 2.3 規范，其中包含 EZ-NAND 協議。EZ-NAND 代表糾錯碼 (ECC) Zero NAND，旨在消除主機控制器的負擔，跟上 NAND 技術不斷變化的糾錯碼要求。

在當今的 NAND 執行過程中，主機控制器必須承擔所有 NAND 管理功能職責，包括區塊管理、損耗均衡和糾錯碼。由于糾錯碼幾乎完全依賴于 NAND 技術，而不是系統，EZ-NAND 將緩解控制器制造商必須執行和跟上快速變化的 NAND 糾錯碼要求這一問題。

ONFI 營銷委員會主席兼美光 (Micron) NAND 戰略營銷主管 Kevin Kilbuck 表示：“ONFI 具備其 EZ-NAND 協議的新2.3規范實現了最終的雙贏局面。NAND 將按照自己的技術節奏不斷升級，而主機控制器也可以針對各種應用進行優化，避免糾錯碼管理問題。這可以延長客戶的平臺周期，并有可能降低系統成本。”

SanDisk 固態硬盤研發部門高級主管 Robert Selinger 表示：“通過使 NAND 提供商能夠針對廠商及平板印刷術遇到的具體挑戰（比如糾錯碼）開發標準解決方案，EZ-NAND 加速了新技術的采用。通過幫助設計這一新標準，我們創建了一套新規范，不僅能夠使性能最優化，還能夠保持外部主機控制器發揮其獨有功能的能力。”

EZ-NAND 組合及電子接口與 ONFI 2.2 規范中界定的一樣。ONFI 2.3 在指令集方面有一些小小的變化，以執行可選的糾錯碼卸載協議，從而盡可能保持 ONFI 2.3 規范與當今執行應用的兼容性。

另外，ONFI 今天還公布了其 ONFI 3.0 規范的持續進展，ONFI 成員目前正在審核一份修訂草案。ONFI 3.0 規范將使速度能夠達到 400MT/s，該規范預計將在2010年第四季度正式生效。ONFI 正在與聯合電子設備工程委員會 (JEDEC) 就 400MT/sec 接口的界定展開合作，最終是為了提供一種行業標準的單一高速 NAND 接口。

歡迎前往本周在圣塔克拉拉會議中心 (Santa Clara Convention Center) 舉辦的閃存峰會，參觀 ONFI 的215號展臺。

ONFI 簡介

ONFI Working Group 致力于簡化 NAND 閃存與消費電子產品應用及計算平臺的整合。在該工作組取得這些進步成果之前，NAND 閃存在此類終端應用中的使用一直受制于缺乏足夠的標準。為了使一個新的 NAND 閃存組件能夠在某個平臺上使用，通常需要改變主機軟硬件。由于需要新的測試周期，實施這些改變的成本非常高——從而影響了新 NAND 閃存組件的采用速度。ONFI 旨在彌補這方面問題，從而加快 NAND 閃存應用的上市時間。

ONFI Working Group 于2006年5月組建，目前擁有90多個成員公司。ONFI 的創始者包括 Hynix Semiconductor、英特爾公司 (Intel Corporation)、美光科技 (Micron Technology, Inc.)、群聯電子 (Phison Electronics Corporation)、SanDisk、索尼公司 (Sony Corporation) 和 Spansion。

欲了解該計劃詳情以及如何為其貢獻一份力量，請訪問 www.ONFI.org 。

ONFI 圖標見 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6949

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