3月1日報道：移動硬盤讀寫速度太慢？隨身U盤容量不夠？電子標簽逐一掃描費時？這些日常生活中與數據相關的問題，其實都與“存儲器”有關。近日，復旦大學信息科學與工程學院微電子學系江安全教授在高密度鐵電阻變存儲器(Ferro-RRAM)的研究中取得了重大進展，一種讀寫速度更快、可靠性更強、體積更小的存儲器有望誕生。

      據江安全教授介紹，鐵電存儲器最大的優點在于讀寫速度快。“打個簡單的比方，我們現在使用電腦讀取硬盤時，大量的時間耗費在了數據交換上。相比現在使用廣泛的閃存硬盤以毫秒為單位的運轉速度，鐵電存儲器可以達到幾十納秒，快了106倍，可廣泛應用于高性能移動數字設備和電腦中，大大提升了讀寫數據的效率。”

      同時，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內的存儲容量比現有的電容存儲器等有了巨大的提升空間。在未來，像現有U盤大小的存儲器可以有幾十G的存儲量，將不再是夢想。

      除了信息高密度存儲和快速擦寫特性，鐵電存儲器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優點，具有極大的產業化潛力，尤其是在電子標簽、移動電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數碼相機等耗電少的電子產品中將率先得到應用和發展。例如大家熟悉的“條形碼”，在不提高每個幾分錢成本的前提下，原本需要逐一掃描的條形碼可以成批同時掃描。