Imec的超高頻Schottky二極管基于非晶IGZO材料，據說能用于開發薄膜無源超高頻（UHF）電子標簽，取代目前的條形碼標識，很適合單品級應用。

　　超高頻RFID標簽有一個較長的閱讀范圍（5米），體形小，可用印刷天線，總體成本低。

　　與硅相比，IGZO材料的低成本優勢更明顯，因為IGZO薄膜有源器件的制程便宜，要求的溫度較前者低。

　　該研發成果將使得RFID芯片直接基于塑料薄膜應用，如產品包裝。

　　二極管可用于阻擋電流，例如，在無源標簽上，它通過捕捉天線的電磁波并轉化為電流為標簽供電。

　　IGZO是非晶半導體，能形成一個穩定的Schottky勢壘，即使應用于金屬環境。

　　獲得一個穩定的Schottky勢壘后，Imec開發了特別的電漿和退火處理，通過化學過程改變Schottky二極管的接口。

　　由此制成的IGZO Schottky二極管整流比高達九個數量級（+ V 和- V），電流密度高達800 A /cm²（正向偏壓1V），截止頻率1.8ghz。如果單級整流器，截止頻率1.1ghz。

　　實驗已證明，整流器件在超高頻（868MHz）下損耗很低。

　　本研究為薄膜超高頻RFID技術，支持歐盟EU FP7-ICT-247798 project ORICLA。

　　項目的合作伙伴包括項目協調員Imec（比利時），霍爾斯特中心–TNO（荷蘭），贏創工業股份公司（Evonik Industries AG，德國），和PolyIC（德國）。(RFID世界網編譯)