8月16日，2017第12屆RFID世界應用創新大會在深圳會展中心隆重舉辦。本次大會共邀請了300余家RFID行業產業鏈各環節的優秀企業、行業權威專家、RFID終端用戶代表共同參與，剖析行業發展方向，共同探索行業發展新模式。富士通半導體有限公司系統存儲事業部FRAM RFID高級工程師羅建先生在本次大會上以《FRAM RFID開創物聯網時代的無源解決方案》為題，與會嘉賓共同探討可無線供電的嵌入式創新RFID方案及應用。

富士通半導體有限公司系統存儲事業部FRAM RFID高級工程師羅建先生

　　羅總的演講內容主要包括，對富士通公司的介紹、可無線供電的嵌入式創新RFID芯片及FRAM的產品特點、富士通產品的應用等。

　　富士通半導體集團公司是本部位于日本的存儲體芯片提供商。公司由三部分組成——存儲體的設計開發的公司，晶圓代工制造服務公司和面向全球市場的客戶銷售服務公司。這樣的體制以及嚴格的實驗和測試,確保高穩定性能產品的穩定供貨。該公司產品主要涉及FRAM三大業務領域，鐵電隨機存儲器FRAM單體，搭載鐵電的RFID產品和安全認證產品。

　　羅總表示，到2020年，預計全球將會有500億設備接入互聯網。針對物聯網或嵌入式應用的市場需求，富士通今年7月推出了無電池RFID的創新性解決方案。該方案省去了RFID電池供電的需求，省去了MCU，讓產品開發周期更短、開發更加容易、成本更加低廉。

　　該產品可以直接嵌入到原有的設備，并且由于減去了MCU，讓其開發的產品體積更小，具有Master的SPI串口功能，可以直接控制傳感器和顯示屏，可應用在無源電子紙、鍵盤、遙控器、傳感器等各種創新產品上。

　　該產品還具有一大優勢，就是采用了公司的FRAM存儲器。FRAM具有快速讀寫數據能力，如果寫入2Mbit(兆比特)的數據，EEPROM需要13.4s，FLASH需要2.9s，而FRAM卻僅僅只要0.5s。其次，可以被頻繁擦寫，一般的存儲器像EEPROM的讀寫次數大概100萬次，而FRAM可以達到10萬億次。再次，功耗低，EEPROM在寫入時最大電流需要5mA，而FRAM只需要10uA。而且，FRAM具備的頻繁的換寫次數，高速寫數據能力以及低功耗的優勢滿足了FRAM在工業、民用等領域的各種創新應用。

FRAM存儲技術技術優勢參數對比

　　據羅總介紹，FRAM應用于RFID有以下幾個特點，一是耐輻射性，在強輻射的照射下數據任然可以安全存儲;二是低功耗和外部元器件供電，在不穩定電源或者不需要電源狀態下，任然可以實現高可靠的讀寫應用;三是快速讀寫能力，提高標簽的讀寫吞吐量提高效率。還有，大容量可以滿足大量數據的存儲，同等的讀寫距離使應用更方便。

　　羅總稱，FRAM的RFID產品包括HF和UHF，由于公司的產品具有抗輻射、快速讀寫的優點，因此被廣泛應用于工業自動化、醫療殺菌、無電源以及很多EEPROM RFID 不能滿足要求的領域。其中HF產品主要應用在FA上。UHF超高頻RFID芯片產品主要應用在醫療殺菌用途上。