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高隔離度
  • 本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術,在1.8V電壓供電下,該射頻開關收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
  • 基于傳統(tǒng)微帶線定向耦合器的方向性和耦合性,利用端口阻抗的失配效應,設計出一種隔離度高、方向性好的改進型耦合器。測試結果表明,改進后定向耦合器的隔離度大大提高,在中心頻率915MHz處隔離度高達58.875dB,方向性約為45dB,能有效抑制載波泄漏到接收鏈路中,能很好地滿足902MHz~928MHz頻段RFID閱讀器收發(fā)隔離的需求。