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華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發展取得進一步成果

作者:中國IT網
來源:來源網絡(侵權刪)
日期:2008-11-05 09:33:25
摘要:2008年10月30日-世界領先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布,與多家智能卡行業龍頭設計公司的合作順利進行。
關鍵詞:華虹智能卡
  2008年10月30日-世界領先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)今天宣布,與多家智能卡行業龍頭設計公司的合作順利進行?;谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝(“EF130”)生產的SIM卡產品完成產品的可靠性測試并進入量產階段,從而使EF130工藝的發展進入一個新的階段。  

  EF130嵌入式閃存工藝的設計平臺面向智能卡,MCU和SoC等產品。其工藝平臺擁有中大容量的嵌入式閃存IP,齊全的模擬IP,高速靜態隨機存儲器和低功耗設計庫,高性能的IO單元以及完善的產品和測試方案。產品平臺具備拓展性的1.6~5.5V寬電壓支持能力。嵌入式閃存工藝在工業溫度范圍內已達到業界領先的可靠性指標,運用該技術平臺開發的產品的擦寫壽命超過30萬次,數據保存時間至少可達10年。該工藝同時具有極低的靜態功耗,相當于同類工藝約10%的靜態功耗,其特性使產品更具競爭優勢。  

  嵌入式非易失性存儲器工藝平臺是華虹NEC戰略技術發展方向之一,通過多年成功的市場運作積累,華虹NEC確立了在嵌入式非易失性存儲器領域的領先地位,可為客戶提供高品質高附加值的晶圓代工服務。華虹NEC將  

  繼續加強該工藝平臺的發展,與客戶進行深度合作,在智能卡領域攜手前進。