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Micron會同Nanya聯合推出42納米DRAM工藝技術
摘要：Micron會同Nanya聯合推出42納米DRAM工藝技術
愛達荷州博伊西市和臺灣桃園縣 2010-02-09(中國商業電訊)－－Micron Technology, Inc.（Nasdaq:MU）會同Nanya Technology Corporation于今天聯合宣布，他們已采用其新型銅制42納米（nm）DRAM工藝技術而成功開發2千兆位（Gb）DDR3內存設備。DDR3是包括服務器、筆記本電腦和臺式計算機在內的高性能計算應用環境所采用的卓越內存技術。
轉向更小的工藝幾何不僅對于維持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且還可為客戶提供諸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。與先前各代工藝的1.5伏相比，該新型42納米工藝目前可把1.35伏作為標準、主流電壓要求。降低內存功耗對于當今的服務器環境至關重要，因為其電源和冷卻基礎結構的成本可以與服務器設備自身的成本相比擬。隨著服務器對內存要求的不斷提高，估計內存功耗可高達每個模塊21瓦。 在這樣的應用環境下，1.35伏的電壓可提供高達30%的節省，因此可降低對電源和冷卻的要求。
更快的內存速度等級對于實現最大的內存性能十分重要。通過壓縮工藝技術的尺寸，該新型2Gb 42納米DDR3設備可提供改善的內存性能，速度可高達每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42納米DDR3設備的2Gb密度可使模塊的容量高達16GB。
“隨著向42納米的轉移——并且依托于處于我們在博伊西市研發實驗室實驗階段的3X納米工藝——Micron在銅金屬化和專有單元電容器技術領域的專長已使我們穩居DRAM工業設計和創新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM營銷部的副總裁說。“該新型2Gb 42納米設備加入我們的DRAM產品系列進一步增強了我們本已豐富的客戶終端應用內存解決方案組合。”
“我們十分榮幸地向我們的客戶提供該款2Gb DDR3，此為一款最具競爭力的量產DRAM設備，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球銷售與營銷副總裁兼發言人說。“Nanya計劃以此款采用最新技術的設備而服務服務器和計算機市場以及消費類電子市場。”
銅：通向更高質量和可靠性的捷徑
新型42納米DRAM工藝技術采用更高效和更可靠的銅金屬化技術，從而使Micron和Nanya雙雙處于工藝標度的前沿地位。長期以來，Micron早已認識到銅在幫助DRAM標度方面的優點，而且近十年以來一直堅持利用和潛心鉆研此項技術。與其他金屬化技術相比，比如鋁，銅被公認為是推進工藝幾何進步和增強產品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。隨著Micron和Nanya雙雙攜手而不斷推進，進而轉向其下一代3X納米工藝技術，該兩家公司必將打造出其強大的銅基地，以提供高質量和高可靠性產品。
可供性
新型2Gb 42納米設備目前正在Micron的制造基地進行試用，樣試茲定于2010年第二季度開始，并且計劃于本年度的下半年投入量產。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服務器功耗問題—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
相關鏈接
查閱Micron最新新聞的其他方式：
• Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com
• Micron on Twitter: http://twitter.com/microntechnews
• RealSSD on Twitter: http://twitter.com/realssd
• Micron Pressroom: www.micron.com/media
關于Micron
Micron Technology, Inc.是世界領先的先進半導體解決方案提供商之一。依托于其全球性運營，Micron致力于制造和營銷前沿計算、消費、聯網和移動產品所用的DRAM、NAND閃存、其他半導體部件和內存模塊。Micron的普通股在NASDAQ上市交易，代號為MU。欲了解有關Micron Technology, Inc.的更詳盡信息，請訪問www.micron.com 。
Micron Technology, Inc.的徽標可訪問站點 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 查閱
關于Nanya
Nanya Technology Corporation，Formosa Plastics Group的成員，是先進半導體存儲器領域的全球領先者，致力于DRAM產品的研發、設計、制造和銷售。NTC的普通股在Taiwan Stock Exchange Corporation（TSEC）上市交易，代號為2408。該公司目前在臺灣擁有200毫米工藝和300毫米工藝兩套制造設施。該公司目前在臺灣擁有一套200毫米工藝和一套300毫米工藝制造設施。另外，該公司還擁有一家300毫米工藝合資企業，名為Inotera Memories, Inc.，在臺灣運營兩套300毫米工藝制造設施。欲了解進一步詳情，請訪問http://www.nanya.com
Nanya Technology Corporation的徽標可訪問站點http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查閱
Micron和Micron的軌道徽標是Micron Technology, Inc.的商標。所有其他商標分別為其相應所有者的財產。
本新聞稿包含有關Micron新型2Gb 42納米DDR3設備生產及3X納米DRAM工藝開發的前瞻性陳述。實際情況或結果可能與前瞻性陳述中所含的信息存在實質性不同。請參閱Micron以匯總方式隨時在Securities and Exchange Commission備案的文檔，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。這些文檔包含且識別從總體上講可導致Micron的實際結果與前瞻性陳述中所含信息產生實質性不同的重要因素（參見Certain Factors）。盡管我們相信前瞻性陳述中所反映的期望是合理的，但我們無法保障未來結果、活動的水平、業績或成果。
隨本新聞稿一并發行的圖片可訪問站點http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查閱
該圖片也可從Newscom（網址為www.newscom.com ）和通過AP PhotoExpress獲取。
聯系人： Micron Technology, Inc.
Kirstin Bordner
(208) 368-5487
kbordner@micron.com
Nanya Technology Corporation
Pei Lin Pai博士
886-3-3281688 x1008
plpai@ntc.com.tw
轉向更小的工藝幾何不僅對于維持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且還可為客戶提供諸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。與先前各代工藝的1.5伏相比，該新型42納米工藝目前可把1.35伏作為標準、主流電壓要求。降低內存功耗對于當今的服務器環境至關重要，因為其電源和冷卻基礎結構的成本可以與服務器設備自身的成本相比擬。隨著服務器對內存要求的不斷提高，估計內存功耗可高達每個模塊21瓦。 在這樣的應用環境下，1.35伏的電壓可提供高達30%的節省，因此可降低對電源和冷卻的要求。
更快的內存速度等級對于實現最大的內存性能十分重要。通過壓縮工藝技術的尺寸，該新型2Gb 42納米DDR3設備可提供改善的內存性能，速度可高達每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42納米DDR3設備的2Gb密度可使模塊的容量高達16GB。
“隨著向42納米的轉移——并且依托于處于我們在博伊西市研發實驗室實驗階段的3X納米工藝——Micron在銅金屬化和專有單元電容器技術領域的專長已使我們穩居DRAM工業設計和創新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM營銷部的副總裁說。“該新型2Gb 42納米設備加入我們的DRAM產品系列進一步增強了我們本已豐富的客戶終端應用內存解決方案組合。”
“我們十分榮幸地向我們的客戶提供該款2Gb DDR3，此為一款最具競爭力的量產DRAM設備，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球銷售與營銷副總裁兼發言人說。“Nanya計劃以此款采用最新技術的設備而服務服務器和計算機市場以及消費類電子市場。”
銅：通向更高質量和可靠性的捷徑
新型42納米DRAM工藝技術采用更高效和更可靠的銅金屬化技術，從而使Micron和Nanya雙雙處于工藝標度的前沿地位。長期以來，Micron早已認識到銅在幫助DRAM標度方面的優點，而且近十年以來一直堅持利用和潛心鉆研此項技術。與其他金屬化技術相比，比如鋁，銅被公認為是推進工藝幾何進步和增強產品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。隨著Micron和Nanya雙雙攜手而不斷推進，進而轉向其下一代3X納米工藝技術，該兩家公司必將打造出其強大的銅基地，以提供高質量和高可靠性產品。
可供性
新型2Gb 42納米設備目前正在Micron的制造基地進行試用，樣試茲定于2010年第二季度開始，并且計劃于本年度的下半年投入量產。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服務器功耗問題—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
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Nanya Technology Corporation的徽標可訪問站點http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查閱
Micron和Micron的軌道徽標是Micron Technology, Inc.的商標。所有其他商標分別為其相應所有者的財產。
本新聞稿包含有關Micron新型2Gb 42納米DDR3設備生產及3X納米DRAM工藝開發的前瞻性陳述。實際情況或結果可能與前瞻性陳述中所含的信息存在實質性不同。請參閱Micron以匯總方式隨時在Securities and Exchange Commission備案的文檔，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。這些文檔包含且識別從總體上講可導致Micron的實際結果與前瞻性陳述中所含信息產生實質性不同的重要因素（參見Certain Factors）。盡管我們相信前瞻性陳述中所反映的期望是合理的，但我們無法保障未來結果、活動的水平、業績或成果。
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