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MOSAID率先推出單通道高性能16芯片NAND閃存塊

作者:rfid2010
日期:2012-04-05 18:06:22
摘要:MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封裝將16片行業標準32Gb NAND閃存芯片和2片HLNAND接口器件組合在一起,在一個單字節寬HLNAND接口通道上實現了333MB/秒的輸出。普通NAND閃存多芯片封裝設計不能堆迭超過4片NAND芯片,否則性能便會降低,并且需要用兩個甚至多個通道來實現類似的吞吐率。
關鍵詞:MOSAID

  Marketwire 2012年4月4日加拿大安大略省渥太華消息/明通新聞專線/--

  MOSAID Technologies公司(多倫多證券交易所股票代碼:MSD)今天宣布,公司即將推出業界首個由16片NAND芯片堆迭組成一個高性能單通道的NAND閃存多芯片封裝(MCP)樣品。

  MOSAID的512Gb HLNAND(TM)(HyperLink NAND)多芯片封裝將16片行業標準32Gb NAND閃存芯片和2片HLNAND接口器件組合在一起,在一個單字節寬HLNAND接口通道上實現了333MB/秒的輸出。普通NAND閃存多芯片封裝設計不能堆迭超過4片NAND芯片,否則性能便會降低,并且需要用兩個甚至多個通道來實現類似的吞吐率。

  MOSAID首席技術官Jin-Ki Kim表示:“與行業標準NAND閃存產品所使用的并行總線結構相比,由16片芯片堆迭組成的512Gb HLNAND多芯片封裝顯示出HLNAND環形總線結構出色的可擴展性。HLNAND的環結構允許在一個單通道上連接幾乎不限數量的NAND芯片,且確保性能不會降低。”

  MOSAID副總裁兼首席技術官Peter Gillingham表示:“HLNAND具有卓越的性能和尺寸優勢。系統工程師可以采用HLNAND技術,設計每秒千兆字節帶寬和兆兆字節容量的單控制芯片固態硬盤(SSD)。采用行業標準NAND多芯片封裝的競爭性設計則需要使用多個控制芯片。”

  由16片芯片堆迭組成的512Gb HLNAND多芯片封裝的主要特色:

  -- 2片HLNAND接口芯片和16片32Gb NAND芯片

  -- 輸入/輸出數據傳輸率:333MB/秒(DDR333),1.8V

  -- 低功耗操作——無需終端電阻

  -- 以全數據傳輸率同步讀寫數據處理,總數據吞吐率達667MB/秒

  -- 全獨立邏輯單元號(LUN)操作

  -- 封裝:100球BGA(球柵陣列),尺寸為18毫米 x 14毫米

  關于HyperLink(HL)NAND閃存

  HLNAND閃存是一種高性能解決方案,結合了MOSAID自己的HyperLink內存技術與行業標準的NAND閃存單元技術,提供了業內最先進的功能集,達到超過傳統閃存10倍的持續I/O輸入輸出帶寬。欲了解更多信息,請訪問 www.hlnand.com/ 。


  關于MOSAID

  MOSAID Technologies公司是全球領先的知識產權管理公司之一。MOSAID專業從事半導體和通信領域專利知識產權的貨幣化以及半導體存儲技術的開發。MOSAID的被許可方中有很多為全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年,在安大略省渥太華、德州普拉諾和盧森堡設有機構。2011年12月,通過Sterling Partners主導的一項交易,MOSAID被私有化。詳情請詢:www.mosaid.com/ 和 http://InvestorChannel.mosaid.com/ 。

  關于Sterling Partners

  Sterling Partners是全球領先的私募股權投資公司,在和企業家合作開創市場領先業務方面有超過25年的從業經驗。Sterling Partners目前管理著大約50億美元的資產,公司將不斷增值的資本投入具有長期正回報趨勢的行業,并通過由行業資深人士、經營者、戰略專家、人力資本專家組成的專業團隊提供持續的管理支持。Sterling Partners是教育、醫療衛生和企業服務領域的領先企業,公司在芝加哥、巴爾的摩和邁阿密設有辦事處。欲了解更多信息,請訪問:www.sterlingpartners.com/

  瀏覽本新聞稿附帶的圖片,請訪問以下鏈接:http://www.marketwire.com/library/20120402-MOSAID_800.jpg

  聯系方式:Michael Salter

  投資者關系和企業傳播部高級總監

  613-599-9539 x1205

  salter@mosaid.com
 

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