HID Global的IN標簽300 8KB

　　HID Global發布了IN 標簽300 8KB，它是一個采用FRAM隨機存取存儲器技術的八千字節內存的無源高頻(HF)轉發器，該存取技術由富士通半導體提供。

　　根據HID Global稱，FRAM芯片提供快速的寫入速度和高記憶容量，而且技術加速了靠近HF標簽時數據訪問的最大速度;可承受十億次讀寫生命周期，能經受高達50 KGray的γ輻射，例如，醫用消毒過程。

　　HID Global解釋稱，FRAM寫入周期比通常用RFID標簽的EEPROM存儲器快33,000次，讀寫生命周期比EEPROM多約100萬次以上，這使其適用于高速移動的目標和頻繁寫入與訪問的應用程序，如傳感器或數據記錄儀。

　　據HID Global表示，IN標簽300 8KB適用于需要高壓滅菌、γ射線和X射線照射消毒的醫療用品和設備，以及惡劣環境下的工業應用 ，如生產線。

　　標簽符合ISO 15693標準，即使暴露于輻射也能保護數據的完整性。

　　該產品還通過了ATEX認證，可用于爆炸性環境，能承受高達285華氏度(140攝氏度)的最高溫度，并且符合UL94-HB 阻燃標準和食品接觸標準。

　　（rfid世界網獨家稿件，轉載請注明來源作者！）