2015年， RFMD 和 TriQuint 合并成立 Qorvo，RFMD 擅長手機端射頻器件，TriQuint 則在 Filter 和 GaN 有技術優勢，二者的合并，為 Qorvo 帶來了最為齊全的產品線，在 Sub-6G 和毫米波頻段都能提供成熟的解決方案。

早前， Qorvo IDP(基礎設施與國防產品)部門的周鵬飛先生接受媒體《芯片揭秘》采訪，為我們解讀 5G 時代中國射頻領域的機遇和挑戰。

Qorvo 無線基礎設施高級應用工程師 周鵬飛先生(左)

芯片揭秘主播 幻實(右)對話

中國通信從跟隨到引領

主播(Q)：幻實 ; 嘉賓(A)周鵬飛

Q 請問周先生您從事射頻領域多久了?

A我在射頻領域工作已經十年了。2013 年加入 Qorvo 時，公司還叫 RFMD，2015 年 RFMD 與 TriQuint 公司合并成為一個新的公司，就是 Qorvo。

Q Qorvo 是全球射頻領域名列前茅的公司，統占了很大的市場份額，非常大名鼎鼎。中國在射頻領域的發展目前還處于跟隨階段，今天想請您跟我們聊一聊射頻領域中射頻芯片的發展狀況和趨勢。

A 射頻的應用非常廣泛，目前需求量最大的領域還是移動通信版塊。從 2G、3G、4G 一直發展到 5G，對客戶來講，吞吐量、帶寬、覆蓋范圍等通信標準的發展對射頻的工藝提出了不同要求。

2G 時代，中國的移動通信發展完全是跟隨者的角色，那時領先的企業有愛立信、摩托羅拉等世界級企業。3G 時代，中國提出了 TD-SCDMA 無線通信國際標準，已成為一個重要的參與者。到了 4G，中國在 LTE-TDD 模式中有了很大的發展。從移動通信應用的角度來看，中國占據了“半壁江山”。到了 5G 時代，中國的應用從某種程度上講已經能夠引領世界了，這也得益于中國的頻譜資源和人口結構等先天的優勢。

5G 手機中國市場占比接近 50%

(來源：Counterpoint Research)

在美國，Sub-6G 頻段的資源已經應用于其他領域，只能在毫米波頻段開發5G的應用，目前也在試圖釋放一些低頻資源來開發 5G 應用。毫米波有天然的缺陷，就是在空中的衰減會更加嚴重，導致設備的覆蓋范圍縮小，需要更加密集的組網。但密集型組網在美國這種地廣人稀的國家很難經營下去，但在中國就十分不同，中國的人口密度高，而且中國在 Sub-6G 有 2.6G、3.5G 這樣優質的頻段資源，這樣的優勢使得中國5G的發展最為迅猛。

各國 5G 頻段資源的使用情況(來源：Qorvo)

5G射頻對工藝產生新的需求

主播(Q)：幻實 ; 嘉賓(A)周鵬飛

A 無線通信從 2G 發展到 5G，也在不斷帶動著射頻領域新工藝的發展。根據不同的頻段、功率、性能等要求，不同的產品會采用不同的 process 的射頻器件，比如基帶部分，主要采用 CMOS 工藝;在射頻前端，主要采用 GaAs(砷化鎵)工藝;在基站端，根據功率要求，也會采用 LDMOS 和 GaN(氮化鎵)等工藝器件。在即將到來的 5G 時代，GaAs 和 GaN 會是主流工藝。當然這些工藝的發展都是互補性的，不是某種 Process(制程)取代某種 Process。

Q 您剛剛提到了在 5G 時代砷化鎵、氮化鎵，他們未來會更主要的應用在射頻上嗎?

A 是的，氮化鎵和砷化鎵具有明顯優勢。比如氮化鎵在頻譜、帶寬、效率、功率密度等方面與其他材料或工藝相比就有著很大的優勢。

Q 氮化鎵、砷化鎵材料目前在產業內的情況如何，難不難做?

A 產業鏈來看，從材料端、設計端到生產端，對目前的中國每個環節都是卡脖子的地方。中國目前雖有幾個 Foundry(制造廠)，但更多的是聚焦于軍工領域。在民用領域的發展，有三安光電和蘇州能訊這樣的公司，目前的工藝技術還不夠成熟，但這些代表中國新興技術的企業在未來會有很好的發展前景。目前來看，國內的這些企業產品的出貨量和性能等與國外的競爭對手相比而言還有著一些不足。

Q 您覺得卡點在哪里呢?

A 一是材料的限制，二是 Process 工藝。主要在生產制造領域。

Q 如果我們加大投資，可以解決這個問題嗎?

A 除了資金以外，我們還需要一些技術積累。三安光電前面幾年應該投了幾百億。國家大基金在重要領域也投資，比如石家莊、南京等地區的研究所。他們的發展還是比較快的，但是技術有先天不足。中國的學科設置更注重于應用，對基礎學科重視不足，所以技術方面的發展還需要幾年時間的積累。但是中國在氮化鎵領域和美國的差距，不像 CMOS 時代和美國的差距那么大，因為氮化鎵在民用方面，對國外也是一個新型技術，也需要不斷發展，只是之前技術積累的基礎比我們好一些，所以發展起來也會更快一點。

Q 現在國外在這方面的布局如何?領先我們多長時間呢?

A 在我看來，國外這方面的核心也是 Foundry，有不同的 Process，領先中國幾年。中國在軍工領域也有相應的 Process，但是中國的成本降不下來，可靠性和一致性也比較難保證。第二個方面，國外氮化鎵的晶圓目前基本都是 4 英寸，2015 年 Qorvo 已對外宣布有 6 英寸晶圓，6 英寸的晶圓可容納的 Die 的數量基本是 4 英寸的兩倍，價格就會下降，但目前量產依舊是 4 英寸晶圓。從 4 英寸過度到 6 英寸，這也是一個很大的技術難點。氮化鎵目前在國內是一個熱點，也有一些公司開始從 4 英寸晶圓逐漸轉向 6 英寸晶圓，但仍需要幾年時間。

RF 模組化趨勢(來源：Qorvo)

Q 我們也聽到一些國內企業將要上線氮化鎵工廠的報道，但其實從籌建到真正的產業化應用還是一個漫長的過程。

A 對，國內的企業需要不斷地試驗，也需要得到客戶的認可和支持，比如需要設備商給他們提供一些試錯的機會，然后再不斷進步。

本土射頻公司的前景在哪里?

主播(Q)：幻實 ; 嘉賓(A)周鵬飛

Q 您能講一講我們國內射頻芯片公司如果要更好的發展，可能會關注哪些方向呢?

A 就像剛才說的，射頻領域的應用范圍很寬。對于像手機端，開發一些 BAW 或 FBAR 濾波器,或者砷化鎵高集成度的模組器件，這類的公司我覺得會有很好的發展。目前 BAW 或 FBAR 濾波器這些技術還是只有國外的大廠擁有，國內基本空白，這也是我們卡脖子的地方。

濾波器的市場空間測算

(來源：興業證券研究所)

第二個方面是氮化鎵領域，我們的國家確實已經投入了也還將投入更多資金在這個領域，因為這個領域目前主要的應用場景是基站端，現在國家正在大力推進 5G 基礎設施建設，未來幾年內，GaN 的需求量會非常大。

GaN 射頻器件全球市場規模

(來源：興業證券研究所)

從 2G 到 5G，頻譜越來越高，帶寬越來越寬。頻譜的資源是非常昂貴的，所以各個國家和運營商只能在自己的頻段范圍進行研發應用，不能產生相互之間的干擾，所以頻譜的利用效率是非常值得研究的話題。在射頻領域，能夠降低信號干擾的濾波器就擁有了很大的發展前景。

氮化鎵和砷化鎵這兩個領域也會是未來發展非常重要的方向。砷化鎵領域國內的發展目前相對較好，因為它的功率較小，Process 較為成熟，如 BHT 和 PHEMT 工藝都屬于砷化鎵領域，但國內在氮化鎵領域的發展確實還有所欠缺。

射頻前端產業鏈梳理

(來源：Yole，平安證券研究所)