今日，三星宣布開發出新一代“8納米射頻(RF)工藝技術”，強化5G通信芯片的解決方案。該技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計，有望為5G通信提供“單芯片的解決方案(OneChip Solution)”。

據了解，三星的8納米射頻工藝技術是對目前已經廣泛使用的包括28納米和14納米在內的射頻相關解決方案的最新補充。自2017年以來，三星為高端智能手機出貨了超過5億顆移動終端射頻芯片。

“通過卓越的創新和工藝制造，我們加強了我們的下一代無線通信產品。”三星電子代工技術開發團隊主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴展，對于那些在緊湊型移動終端上尋求實現更長電池壽命和出色信號質量的客戶來說，三星8納米射頻將成為一個很好的解決方案。”

三星方面表示，三星的工藝優化最大限度地提高了通道移動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數和模擬/射頻塊的面積可以實現減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構創新，三星的8納米射頻工藝技術將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。