將RFID寫入速度提升數千倍,這家公司怎么做到的
作者:來源網絡(侵權刪)
來源:RFID世界網
日期:2025-08-07 11:37:34
摘要:RAMXEED采用內置FeRAM的無源RFID方案,寫入速度提升數百至數千倍、寫入循環耐久達1萬億次、能效極高,還可實現電池無源運行。
關鍵詞:RFID
為了深入探討RFID技術的最新進展、應用趨勢以及面臨的挑戰,2025年8月28日,我們將在深圳國際會展中心(寶安)9號館會場1舉辦 IOTE 2025深圳·RFID無源物聯網生態研討會,本次論壇旨在匯聚來自全球的RFID技術專家、學者、企業代表以及政府相關部門的人士,共同分享RFID技術的最新研究成果、應用案例以及未來發展方向。
無論是對于RFID技術的深入研究,還是對于其在各個領域的實際應用,本次論壇都將是一次難得的交流與合作機會。我們期待與各位專家、學者以及企業代表共同探討RFID技術的未來,攜手開創RFID技術的新篇章。

在本次論壇上,RAMXEED LIMITED亞洲市場總監羅建將發表《無源FeRAM RFID:賦能AIOT的邊緣存儲革新》的主題演講。在這次演講中,羅總將會分享如何解決傳統RFID寫入慢、壽命短、功耗高等瓶頸。RAMXEED采用內置FeRAM的無源RFID方案,寫入速度提升數百至數千倍、寫入循環耐久達1萬億次、能效極高,還可實現電池無源運行。這在智能制造、醫療追溯、無線傳感等場景體現出巨大優勢。面向AI時代,FeRAM RFID可在邊緣設備中實現實時高頻數據采集與儲存,為智能IoT架構注入新動能。
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