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CMOS工藝
  • AT89C51是一種低功耗高性能的8位單片機，片內帶有一個4k字節的Flash可編擦除只 讀存儲器(PEROM)，它采用了CMOS工藝和ATMEL公司的高密度非易失性存儲器(NURAM)技術，而且其輸出引腳和指令系統和MCU_51系列 單片機兼容。片內的Flash存儲器允許在系統內可改編程序或用常規的非易失性的存儲器編程器來編程。同時已具有三級程序存儲器保密的性能。
  • 工作在125或134kHz低頻(LF)或者13.56MHz高頻(HF)范圍內的電感回路無源RFID系統，其工作距離僅限于大約1m的范圍。UHF RFID系統工作在860至960MHz以及2.4GHZ的工業科學醫療(ISM)頻段。其具有更長的工作距離，對無源標簽而言典型工作范圍為3至10m。標簽從閱讀器的射頻信號接收信息和工作能量。如果標簽在閱讀器的范圍內，就會在標簽的天線上感應出交變的射頻電壓。該電壓經過整流后為標簽提供直流(DC)電源電壓。通過調制天線端口的阻抗來實現標簽對閱讀器的響應。這樣一來，標簽將信號反向散射給閱讀器。
  • 本文提出了基于商用0.18μm CMOS工藝的EPC Global Class-1 Generation-2 UHF RFID標簽電路設計。
  • 功率放大器是UHF RFID系統的重要模塊，也是RFID系統中功耗最大的器件。本文采用TSMC0.18rf CMOS工藝，設計了一款用于RFID的線性功率放大器。在915 MHz頻段，最大輸出功率為17.8 dBm，飽和效率達到了40%，輸出1 dB壓縮點（P1dB）為15.4 dBm，其小信號增益達到了28.7 dB。
  • 隨著CMOS工藝技術的發展進步， 如果能夠提供基于CMOS工藝的單片閱讀器將極大的降低成本， 應用前景也將更為廣闊; 而且單片集成的閱讀器方案也符合當前多應用便攜式終端的發展趨勢， 為未來多應用整合提供可能。
  • 本文討論一種采用0.35um CMOS工藝專為射頻卡設計的自反饋開關式穩壓電路。
  • 在研究讀寫器和射頻標簽通信過程的基礎上，結合EPC C1G2協議以及ISO／IEC18000．6協議， 采用VHDL語言設計出一種應用于超高頻段的射頻標簽數字電路。對電路的系統結構和模塊具體實現方法進行了描述。基于0．18μm CMOS工藝標準單元庫，采用EDA工具對電路進行了前端綜合和后端物理實現。給出的仿真結果表明該電路符合協議要求，綜合后的電路規模約為11000門，功耗約為35μW 。該電路可應用于超高頻段的各種RFID標簽的數字部分。
  • 本文給出了一個基于自主知識產權芯片實現的超寬帶窄脈沖發射電路及測試結果，通過超低功耗單片機MSP430F123控制超寬帶脈沖發射機芯片，可實現高速率數據的無線發射，所采用的超寬帶發射機芯片基于0.18mm CMOS工藝設計和實現，能夠以0~800Mpps的脈沖重復頻率產生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號，經過脈沖整形電路后，信號的頻譜在500MHz~1.5GHz之間，發射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。
  • 設計了一種適用于NCITS一256—1999協議的915MHz無源射頻只讀標簽．芯片具有低功耗、高動態范圍的特點．1．6V 電源電壓下模擬前端的靜態工作電流為1．6 μA，芯片正常工作所需要的最小射頻信號輸入功率為45μw．芯片在0．18μm CMOS工藝下流片驗證，測試結果表明，芯片能夠很好地滿足設計要求．