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NMOS
  • 本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術，在1.8V電壓供電下，該射頻開關收發兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
  • 從模數轉換的基本理論出發, 在對一階Δ-Σ調制器原理深入解析的基礎上，得到Δ-Σ ADC動態輸入范圍的計算方法。利用Matlab simulink 建立了二階Δ-Σ調制器系統模型，對調制器電路進行仿真和參數優化，對其性能進行了有效評估。使用軌對軌折疊式共源共柵運算放大器作為調制器的積分器，增大了調制器的動態輸入范圍；設計的高速比較器將NMOS 負載管交叉耦合從放大器輸出端引入正反饋，提高了轉換速度。設計實現了一款適用于14 bit溫度轉換芯片的二階△-∑調制器,信噪比SNR可達87 dB。