上海 2011-05-27(中國商業電訊)－－Integrated Silicon Solution, Inc. 成為Micron 的第二貨源供應商伙伴

Micron Technology, Inc.（Nasdaq 代碼：MU）今日宣布開始提供其第三代低延時 DRAM 初期工程（RLDRAM 3 內存）樣品。第三代低延時 DRAM 內存是一種高帶寬的內存技術，支持網絡信息的高效傳輸。它專門為高性能網絡應用程序量身定做，可支持需要連續讀寫作業或完全隨機存取的高端路由器及交換機，因此對 40千兆 和 100千兆以太網(GbE),包緩沖、檢測和查找表作業而言都是最理想的選擇。除此之外，第三代低延時 DRAM 內存在速度、密度、延遲時間和耗能方面也都有大幅改善。

IP 電視和視頻點播這類基于互聯網的視頻服務不斷擴增，加上移動應用程序和云計算的興起，使得網絡基礎設施的效率必須不斷提高，以適應在線傳輸的數據量的需求。第三代低延時 DRAM 內存為網絡客戶提供結合了高帶寬和低延遲時間的解決方案，支持如 100 GbE 等更高的協定速度。

第三代低延時 DRAM 內存可持續維持高達 2133 Mb/s 的數據速率，并提供業界最低隨機存取延遲時間10 納秒（nanoseconds），另通過應用 1.2V IO 電源和 1.35V 內核電壓提高用電能效。

Micron DRAM 解決方案事業群網絡存儲業務部門總監 Bruce Franklin 說：“在 Micron，我們了解今日客戶為支持更大的數據量，在優化網絡技術和處理相關復雜的基礎設施變革方面面臨了許多壓力。第三代低延時 DRAM 內存是結合低延遲時間和高帶寬的解決方案，為客戶不斷演進的網絡內存需求提供充足的運作空間。”

Micron 今日也宣布，Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 將成為其第三代低延時 DRAM 內存的另一家供應商，以確保滿足市場貨量需求，并與網絡客戶建立長遠關系。

ISSI戰略營銷總監 Pat Lasserre 說：“通過與 Micron 的緊密合作，我們將能共同滿足客戶對第三代低延時 DRAM 內存的需求。公司新增了該產品線后，將能夠符合客戶為適應100 GbE 網絡標準，而對專門化、高性能內存技術的長期支持所產生的需求。”


產品訂購

有關訂購第三代低延時 DRAM 內存樣本相關信息可在本公司網站上取得。Micron 預計第三代低延時 DRAM 內存將于 2011 年下半年開始量產。

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Micron簡介

Micron Technology, Inc.是領導全球的先進半導體解決方案供應商。通過全球化的運營，Micron公司制造并向市場推出 DRAM、NAND 和 NOR 閃存、其他創新存儲技術、封裝解決方案和半導體系統，用于前沿計算、消費品、網絡、嵌入和移動便攜產品。Micron 普通股于 NASDAQ 納斯達克股市交易，代碼為 MU 。取得更多關于 Micron Technology, Inc.的信息，請訪問： www.micron.com.

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©2011 Micron Technology, Inc.保留所有權利。信息可能在未告知的情況下進行變更。“Micron”和 Micron 商標是屬于 Micron Technology, Inc. 的注冊商標。所有其他商標為屬于其所有者的商標。

本新聞稿包含關于第三代低延時 DRAM 內存產品生產的前瞻性陳述。實際情況或結果可能與這些前瞻性陳述所含內容產生顯著差異。請參考 Micron 公司在并表基礎上不時向美國證券交易委員會呈報的文件，特別是公司最新的 10-K 表和 10-Q 表。這些文件含有并明確了可能導致公司在合并報表基礎上的實際業績與我們的前瞻性陳述中所含內容產生重大差異的重要因素（參見“已知因素”章節）。盡管我們認為前瞻性陳述中反映的期望是合理的，但我們不能對未來業績、活動水平、表現或成績做出保證。


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