三星電子成功開發業界首款45nm嵌入式閃存(Embedded Flash或eFlash, 內置型閃存)工藝以及采用此工藝的智能卡芯片。

　　嵌入式閃存工藝是在控制和處理數據的系統半導體電路中，實現閃存電路的數據存儲，可提高集成度和電力效率，適用于家電，移動設備，汽車等多個領域的產品應用。

　　與現有的80nm工藝產品相比，此次成功開發的45nm智能卡IC具有更高的效率，耗電量減少25%，且隨機讀取時間(Random Access Time)縮短50%。

　　值得一提的是，閃存的每個存儲單元(Cell)最少可進行100萬次擦寫循環(Endurance cycle)，確保其業內最高可靠性，目前商用化內部測試已完成。

　　在完成設計工藝的優化和權威機構的保密性測試后，三星電子預計明年下半年量產基于45nm嵌入式閃存工藝的智能卡芯片。

　　三星電子還計劃利用此次開發的45nm嵌入式閃存工藝技術，向家電和車用MCU(Micro Controller Unit)產品領域的制造廠/ASIC（Application Specific Integrated Circuit）客戶提供具有競爭力的解決方案。

　　三星電子系統LSI事業部金泰勛常務表示：“期待此次開發的45nm嵌入式閃存工藝可用于智能卡，NFC(Near Field Communication)等多種安全解決方案和移動產品上。”他還指出，“今后我們將在多種產品領域率先應用高端工藝，鞏固自身綜合移動解決方案供應商的地位。”