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eNVM

GlobalFoundries、NXP合作40納米eNVM技術

晶圓代工廠GlobalFoundries和恩智浦(NXP)共同開發下一代嵌入式非揮發性存儲器eNVM技術，以GlobalFoundries的12吋晶圓廠為基地，低功耗40納米制程為基礎，預計在2016年于新加坡的晶圓廠進行量產。

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力旺電子與中芯國際聯手布局技術發展

嵌入式非揮發性內存領導廠商力旺電子，與中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業中芯國際，共同宣布，已聯手擴大在非揮發性內存技術上的發展布局，合作制程涵蓋0.35微米至40納米等，橫跨 NeoBit、NeoFuse、NeoEE 與 NeoMTP 等單次與多次可程序嵌入式非揮發性內存技術 (eNVM)。

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