夏普發表了可將制造成本減半的晶圓制造方法（2BO.3.1：New Wafer Technology for Crystalline Sillicon Solar Cell）。該公司已建立了使用傳送帶等的自動化生產線，是“量產水平的技術”（發表者）。

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左側是學會會場。右側建筑是展示會場

　　制造方法如下。首先，令底板與熔化的硅接觸，使硅附著在底板表面。之后，將附著的硅剝離，并以激光切削剝離的片狀硅的周圍部分，使成合適的尺寸。而激光切削下來的硅可熔化再利用。發布時用視頻演示了制造過程，但沒有公開剝離附著硅的方法。 

　　該方法的開發歷時10年，產品的外形尺寸達156mm×156mm，產量高達1825cm2/分。每8秒鐘就可以制造一片晶圓。晶圓厚300μm。制造成本僅為現有鑄造法制造的約200μm厚晶圓的50％。轉換效率在2006年就已達到14.8％?，F在的轉換效率值沒有公開，但表示，由42片晶圓組成的模塊的最大輸出功率達到了144W。（記者：河合 基伸）